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DI080N10D1
MOSFET, N-CH, 100V, 80A, TO-252AA
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteDI080N10D1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark11AN2659
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.730 |
| 10+ | $ 2.390 |
| 100+ | $ 1.990 |
| 500+ | $ 1.870 |
| 1000+ | $ 1.720 |
| 2500+ | $ 1.470 |
| 5000+ | $ 1.440 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteDI080N10D1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark11AN2659
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.0042ohm
Transistor Case StyleTO-252AA (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation56.8W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-252AA (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
56.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0042ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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