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ZVP2106A
P CHANNEL DMOS FET, -60V, 280mA, TO-92
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Unidades por pacoteEach
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZVP2106A
Código Newark85K9995
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id280mA
Drain Source On State Resistance5ohm
On Resistance Rds(on)4ohm
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd700mW
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation700mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The ZVP2106A is a P-channel enhancement mode MOSFET Transistor with -4A pulsed drain current.
- ±20V Gate Source Voltage
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Case Style
TO-226AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
280mA
On Resistance Rds(on)
4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
700mW
Power Dissipation
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (4)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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