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Tempo de Espera Habitual do Fabricante 14 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.340 |
| 10+ | $ 0.887 |
| 100+ | $ 0.627 |
| 500+ | $ 0.514 |
| 1000+ | $ 0.478 |
| 2500+ | $ 0.472 |
| 12000+ | $ 0.440 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.34
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteVN10LP
Código Newark98K2375
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id270mA
Drain Source On State Resistance5ohm
On Resistance Rds(on)7.5ohm
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd625mW
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation625mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The VN10LP is a N-channel enhancement mode Vertical DMOS FET with matte tin-plated terminals and level-1 per J-STD-020 moisture sensitivity.
- AEC-Q101 Qualified
- UL94V-0 Flammability rating
- Green product
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Case Style
TO-226AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
270mA
On Resistance Rds(on)
7.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
625mW
Power Dissipation
625mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (4)
Alternativas para VN10LP
1 produto encontrado
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
