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DMT10H9M9SH3
MOSFET, N-CH, 100V, 84A, TO-251 ROHS COMPLIANT: YES
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 33 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.070 |
| 10+ | $ 0.888 |
| 150+ | $ 0.887 |
| 525+ | $ 0.880 |
| 1050+ | $ 0.873 |
| 2550+ | $ 0.866 |
| 10050+ | $ 0.843 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.07
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMT10H9M9SH3
Código Newark36AJ8889
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id84A
On Resistance Rds(on)0.0074ohm
Drain Source On State Resistance7400µohm
Transistor Case StyleTO-251 (IPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd114W
Power Dissipation114W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0074ohm
Transistor Case Style
TO-251 (IPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
114W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
84A
Drain Source On State Resistance
7400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
114W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos