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DMN2990UFA-7B
MOSFET, N-CH, 20V, 0.51A, X2-DFN0806
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN2990UFA-7BCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark86AK4770
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 14 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 10000+ | $ 0.136 |
| 20000+ | $ 0.131 |
| 40000+ | $ 0.125 |
| 60000+ | $ 0.119 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 10000
Vários: 10000
$ 1,360.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN2990UFA-7BCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark86AK4770
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id510mA
Drain Source On State Resistance0.99ohm
Transistor Case StyleX2-DFN0806
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
510mA
Transistor Case Style
X2-DFN0806
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.99ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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