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DMC3400SDW-7
MOSFET, P & N CH, 30V, 0.65A, SOT-363
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMC3400SDW-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4725
Rodo à Medida68AH9532RL
Segmento de fita68AH9532
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rolo completo | 5 | $ 0.079 | $ 0.00 |
| Total Preço | $ 0.40 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.386 |
| 50+ | $ 0.243 |
| 100+ | $ 0.158 |
| 250+ | $ 0.140 |
| 500+ | $ 0.121 |
| 1000+ | $ 0.109 |
| 2500+ | $ 0.107 |
| 5000+ | $ 0.105 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.079 |
| 6000+ | $ 0.075 |
| 12000+ | $ 0.071 |
| 18000+ | $ 0.066 |
| 30000+ | $ 0.061 |
Se você quiser uma quantidade menor, pode selecionar outro tipo de embalagem
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMC3400SDW-7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante43 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK4725
Rodo à Medida68AH9532RL
Segmento de fita68AH9532
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel650mA
Continuous Drain Current Id P Channel650mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.2ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.2ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel310mW
Power Dissipation P Channel310mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
650mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.2ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
310mW
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
650mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.2ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
310mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto