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BSS8402DW-7-F
MOSFET, N & P CHANNEL, DUAL, 60V, 800mA, SOT-363
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteBSS8402DW-7-F
Código Newark
Rolo completo86AK4578
Segmento de fita25R4433
Seu número de peça
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.684 | $ 3.42 |
| Total Preço | $ 3.42 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.684 |
| 10+ | $ 0.434 |
| 25+ | $ 0.386 |
| 50+ | $ 0.336 |
| 100+ | $ 0.288 |
| 250+ | $ 0.257 |
| 500+ | $ 0.225 |
| 1000+ | $ 0.204 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.148 |
| 6000+ | $ 0.142 |
| 12000+ | $ 0.137 |
| 18000+ | $ 0.130 |
| 30000+ | $ 0.123 |
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteBSS8402DW-7-F
Código Newark
Rolo completo86AK4578
Segmento de fita25R4433
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id800mA
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel50V
Continuous Drain Current Id N Channel115mA
Continuous Drain Current Id P Channel130mA
Drain Source On State Resistance N Channel7.5ohm
Drain Source On State Resistance P Channel10ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel200mW
Power Dissipation P Channel200mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BSS8402DW-7-F is a complementary pair Enhancement Mode MOSFET with matte tin finish annealed over Alloy 42 lead frame terminals and UL94V-0 flame-rated moulded plastic case. Designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Low on resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Level-1 per J-STD-020 moisture sensitivity
- Green product
- AEC-Q101 Qualified
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
50V
Continuous Drain Current Id P Channel
130mA
Drain Source On State Resistance P Channel
10ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
200mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
800mA
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
115mA
Drain Source On State Resistance N Channel
7.5ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para BSS8402DW-7-F
2 produtos encontrados
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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