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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules :
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Power Dissipation
=238W
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MOSFET Module Configuration
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Drain Source Voltage Vds
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | MOSFET Module Configuration | Transistor Polarity | Channel Type | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | On Resistance Rds(on) | Drain Source On State Resistance | Transistor Case Style | No. of Pins | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation Pd | Power Dissipation | Operating Temperature Max | Product Range |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Each | 1+$ 138.240 5+$ 134.530 10+$ 130.660 25+$ 128.720 96+$ 126.840 Mais preços... | Half Bridge | - | N Channel | 109A | 1.2kV | - | 0.0125ohm | Module | 18Pins | 18V | 4.3V | - | 238W | 175°C | SiCPAK F Series | ||||||
Each (Supplied on Cut Tape) Segmento de fita | 1+$ 17.070 10+$ 16.070 25+$ 15.260 50+$ 14.610 100+$ 13.980 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 36A | 1.2kV | 0.07ohm | 70mohm | H2PAK | 7Pins | 18V | 2.45V | 238W | 238W | 175°C | - | ||||||
