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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules :
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Fabricante
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Power Dissipation
=223W
1
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MOSFET Module Configuration
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Channel Type
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Continuous Drain Current Id
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Drain Source Voltage Vds
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Drain Source On State Resistance
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Transistor Case Style
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No. of Pins
(3)
Rds(on) Test Voltage
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Gate Source Threshold Voltage Max
(3)
Embalagem
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | MOSFET Module Configuration | Channel Type | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | Drain Source On State Resistance | Transistor Case Style | No. of Pins | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation | Operating Temperature Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
12AM9887 RoHS | Each (Supplied on Cut Tape) Segmento de fita | 1+$ 12.570 10+$ 8.780 25+$ 8.360 50+$ 7.960 100+$ 7.550 Mais preços... | Single | N Channel | 30A | 1.2kV | 0.087ohm | H2PAK | 7Pins | 18V | 4.2V | 223W | 175°C | |||||
12AM9886 RoHS | Each (Supplied on Cut Tape) Segmento de fita | 1+$ 13.730 10+$ 9.570 25+$ 9.160 50+$ 8.840 100+$ 8.520 Mais preços... | Single | N Channel | 30A | 1.2kV | 0.087ohm | HU3PAK | 7Pins | 18V | 4.2V | 223W | 175°C | |||||
14AM7986 RoHS | Each (Supplied on Full Reel) Rolo completo | 1+$ 5.960 | Single | N Channel | 30A | 1.2kV | 0.087ohm | H2PAK | 7Pins | 18V | 4.2V | 223W | 175°C | |||||
