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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules :
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Fabricante
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Power Dissipation
=2.45kW
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MOSFET Module Configuration
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Transistor Polarity
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Transistor Case Style
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Gate Source Threshold Voltage Max
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Power Dissipation Pd
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Operating Temperature Max
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Embalagem
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | MOSFET Module Configuration | Transistor Polarity | Channel Type | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | Transistor Case Style | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation Pd | Power Dissipation | Operating Temperature Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Each | 1+$ 1,838.550 | Half Bridge | Dual N Channel | Dual N Channel | 600A | 1.2kV | Module | 5.6V | 2.45kW | 2.45kW | 150°C | ||||||
Each | 1+$ 2,442.870 | Half Bridge | Dual N Channel | Dual N Channel | 400A | 1.2kV | Module | 4V | 2.45kW | 2.45kW | 150°C | ||||||
