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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules :
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Power Dissipation Pd
=88W
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | MOSFET Module Configuration | Transistor Polarity | Channel Type | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | On Resistance Rds(on) | Drain Source On State Resistance | Transistor Case Style | No. of Pins | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation Pd | Power Dissipation | Operating Temperature Max | Product Range |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Each (Supplied on Cut Tape) Segmento de fita | 1+$ 6.740 10+$ 4.510 25+$ 4.090 50+$ 3.660 100+$ 3.240 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 7.4A | 1.7kV | 0.526ohm | 0.526ohm | TO-263 (D2PAK) | 7Pins | 15V | 4.5V | 88W | 88W | 175°C | CoolSiC | ||||||
Each | 500+$ 5.580 | Single | N Channel | N Channel | 9A | 1.7kV | 0.45ohm | 0.45ohm | TO-247 | 3Pins | 15V | 2.7V | 88W | 88W | 175°C | G3R Series | ||||||
