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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules :
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Fabricante
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Power Dissipation Pd
=429W
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MOSFET Module Configuration
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Transistor Polarity
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Drain Source Voltage Vds
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On Resistance Rds(on)
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Drain Source On State Resistance
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | MOSFET Module Configuration | Transistor Polarity | Channel Type | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | On Resistance Rds(on) | Drain Source On State Resistance | Transistor Case Style | No. of Pins | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation Pd | Power Dissipation | Operating Temperature Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Each | 1+$ 38.210 5+$ 33.350 10+$ 28.480 25+$ 28.110 50+$ 27.740 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 65A | 1.2kV | 0.035ohm | 35mohm | TO-247 | 3Pins | 12V | 5V | 429W | 429W | 175°C | ||||||
Each | 1+$ 28.920 5+$ 26.360 10+$ 23.810 25+$ 21.250 50+$ 18.690 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 65A | 1.2kV | 0.035ohm | 35mohm | TO-247 | 4Pins | 12V | 5V | 429W | 429W | 175°C | ||||||
Each | 1+$ 35.050 5+$ 30.200 10+$ 25.340 25+$ 24.830 50+$ 24.330 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 63A | 1.2kV | 0.031ohm | 0.031ohm | TO-247 | 3Pins | 2V | 11.5V | 429W | 429W | 175°C | ||||||
Each | 1+$ 24.470 5+$ 22.310 10+$ 20.150 25+$ 17.980 50+$ 15.820 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 65A | 1.2kV | 0.035ohm | 35mohm | TO-247 | 3Pins | 12V | 5V | 429W | 429W | 175°C | ||||||
