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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules :
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Fabricante
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Gate Source Threshold Voltage Max
=5.55V
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MOSFET Module Configuration
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Channel Type
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Continuous Drain Current Id
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Drain Source Voltage Vds
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | MOSFET Module Configuration | Channel Type | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | Drain Source On State Resistance | Transistor Case Style | No. of Pins | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation | Operating Temperature Max | Product Range |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Each | 1+$ 2,571.910 | Half Bridge | N Channel | 500A | 3.3kV | 4800µohm | Module | 15Pins | 15V | 5.55V | 20mW | 175°C | XHP 2 Series | ||||||
Each | 1+$ 4,307.350 | Half Bridge | Dual N Channel | 720A | 3.3kV | 0.0031ohm | Module | 15Pins | 15V | 5.55V | 20mW | 175°C | XHP 2 Series | ||||||
20AM4259 RoHS | Each | 1+$ 5,758.880 | Half Bridge | Dual N Channel | 925A | 3.3kV | 2400µohm | Module | 15Pins | 15V | 5.55V | 20mW | 175°C | XHP 2 Series | |||||
