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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules :
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Drain Source On State Resistance
=0.41ohm
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MOSFET Module Configuration
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Transistor Polarity
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | MOSFET Module Configuration | Transistor Polarity | Channel Type | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | On Resistance Rds(on) | Drain Source On State Resistance | Transistor Case Style | No. of Pins | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation Pd | Power Dissipation | Operating Temperature Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Each | 1+$ 6.070 10+$ 5.710 25+$ 5.400 50+$ 5.160 100+$ 4.940 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 7.6A | 1.2kV | 0.41ohm | 0.41ohm | TO-247 | 3Pins | 12V | 4.7V | 100W | 100W | 175°C | ||||||
Each | 1+$ 8.330 10+$ 7.790 25+$ 7.240 50+$ 6.750 100+$ 6.250 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 7.6A | 1.7kV | 0.41ohm | 0.41ohm | TO-247 | 3Pins | 12V | 4.7V | 100W | 100W | 175°C | ||||||
