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0.12ohm Gallium Nitride (GaN) FETs :
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Fabricante
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Drain Source On State Resistance
=0.12ohm
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Embalagem
| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | Drain Source Voltage Vds | Continuous Drain Current Id | Drain Source On State Resistance | Typical Gate Charge | Transistor Case Style | Transistor Mounting | No. of Pins | Product Range |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
11AN7255 RoHS | NAVITAS | Each (Supplied on Cut Tape) Segmento de fita | 1+$ 7.120 50+$ 6.300 100+$ 5.800 250+$ 5.260 500+$ 4.600 Mais preços... | 700V | 13A | 0.12ohm | 2.6nC | PQFN | Surface Mount | 8Pins | GaNFast NV6017C Series | ||||
11AN7259 RoHS | Each (Supplied on Cut Tape) Segmento de fita | 1+$ 5.330 50+$ 4.720 100+$ 4.350 250+$ 3.950 500+$ 3.450 Mais preços... | 700V | 8.6A | 0.12ohm | 2.2nC | TO-252 (DPAK) | Surface Mount | 3Pins | GaNFast Series | |||||
