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FFSP20120A
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode EliteSiC, 20 A, 1200 V, D1, TO-220-2L Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode EliteSiC, 20 A,
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFFSP20120ACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark01AC8659
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 12 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 50+ | $ 10.940 |
| 100+ | $ 8.910 |
| 250+ | $ 8.850 |
| 500+ | $ 8.780 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 50
Vários: 50
$ 547.00
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFFSP20120ACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark01AC8659
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
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Certificado de conformidade do produto