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MMBFJ177LT1G
JFET Transistor, Junction Field Effect, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
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|---|---|
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| 25+ | $ 0.340 |
| 50+ | $ 0.285 |
| 100+ | $ 0.229 |
| 250+ | $ 0.204 |
| 500+ | $ 0.178 |
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Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMMBFJ177LT1G
Código Newark45J1518
Ficha técnica
Breakdown Voltage Vbr30V
Gate Source Breakdown Voltage Max30V
Zero Gate Voltage Drain Current Max-20mA
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min-1.5mA
Gate Source Cutoff Voltage Max2.5V
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor TypeJFET
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeP Channel
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Product Range-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para MMBFJ177LT1G
2 produtos encontrados
Descrição geral do produto
The MMBFJ177LT1G is a P-channel JFET designed for analogue switching and chopper applications. The low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life. The device is encapsulated in a surface-mount package which saves board space.
- -25V Drain-gate voltage
- 25V Gate-source voltage
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Breakdown Voltage Vbr
30V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
-20mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
2.5V
Transistor Type
JFET
Channel Type
P Channel
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Gate Source Breakdown Voltage Max
30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
-1.5mA
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
3 Pin
Qualification
AEC-Q101
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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