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Dual MOSFETs :
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Fabricante
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Power Dissipation N Channel
=3.6W
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Drain Source Voltage Vds N Channel
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | Channel Type | Drain Source Voltage Vds N Channel | Continuous Drain Current Id N Channel | Drain Source On State Resistance N Channel | Transistor Case Style | No. of Pins | Power Dissipation N Channel | Operating Temperature Max | Product Range |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Each (Supplied on Cut Tape) Segmento de fita | 1+$ 1.380 50+$ 0.866 100+$ 0.573 250+$ 0.510 500+$ 0.447 Mais preços... | N Channel | 60V | 8A | 0.029ohm | SOIC | 8Pins | 3.6W | 150°C | TrenchFET Gen IV Series | ||||||
Each (Supplied on Cut Tape) Segmento de fita | 10+$ 0.247 50+$ 0.192 100+$ 0.118 250+$ 0.096 500+$ 0.081 Mais preços... | Dual N Channel | 60V | 7.9A | 0.032ohm | SOIC | 8Pins | 3.6W | 150°C | TrenchFET Gen IV Series | ||||||
