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STL62P3LLH6
MOSFET, P-CH, -30V, -62A, POWERFLAT
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTL62P3LLH6
No. Parte Newark45AC7620
Rango de ProductoSTripFET H6
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.890 |
| 10+ | $0.755 |
| 100+ | $0.566 |
| 500+ | $0.517 |
| 1000+ | $0.487 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTL62P3LLH6
No. Parte Newark45AC7620
Rango de ProductoSTripFET H6
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id62
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9000µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.009ohm
Diseño de TransistorPowerFLAT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd100W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia100
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoSTripFET H6
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9000µohm
Diseño de Transistor
PowerFLAT
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
STripFET H6
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
62
Resistencia de Activación Rds(on)
0.009ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
100W
Disipación de Potencia
100
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
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