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RQ5E070BNTCL
MOSFET, N-CH, 30V, 7A, 150DEG C, 0.76W
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRQ5E070BNTCL
No. Parte Newark82AC3068
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.618 |
| 10+ | $0.568 |
| 25+ | $0.507 |
| 50+ | $0.445 |
| 100+ | $0.384 |
| 250+ | $0.364 |
| 500+ | $0.342 |
| 1000+ | $0.315 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRQ5E070BNTCL
No. Parte Newark82AC3068
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0161ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-346T
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia760mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0161ohm
Diseño de Transistor
SOT-346T
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
7A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
760mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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