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BSS84XHZGG2CR
MOSFET, P-CH, 60V, 0.23A, DFN1010 ROHS COMPLIANT: YES
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Opciones de embalaje
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 29 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.699 |
| 10+ | $0.497 |
| 25+ | $0.459 |
| 50+ | $0.421 |
| 100+ | $0.383 |
| 250+ | $0.351 |
| 500+ | $0.319 |
| 1000+ | $0.260 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$3.49
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteBSS84XHZGG2CR
No. Parte Newark03AJ0063
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id230mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5.3ohm
Diseño de TransistorDFN1010
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia1W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
DFN1010
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
230mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5.3ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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