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TF412ST5G
Transistor JFET, -30 V, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, 3 Pines, 150 °C
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteTF412ST5G
No. Parte Newark51Y5147
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Hoja de datos técnicos
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17530 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
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Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.344 |
| 10+ | $0.246 |
| 25+ | $0.218 |
| 50+ | $0.189 |
| 100+ | $0.160 |
| 250+ | $0.140 |
| 500+ | $0.120 |
| 1000+ | $0.097 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteTF412ST5G
No. Parte Newark51Y5147
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-30
Voltaje de Ruptura Vbr0
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula0
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero3
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-1.5
Diseño de TransistorSOT-883
No. de Pines3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Tipo de Transistor0
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-30
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
0
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-1.5
No. de Pines
3 Pines
Tipo de Transistor
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Ruptura Vbr
0
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
3
Diseño de Transistor
SOT-883
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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