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PMV30XPAR
MOSFET, CANAL P, 20V, 4.9A, 175°C, 0.61W
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FabricanteNEXPERIA
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.270 |
| 10+ | $0.779 |
| 25+ | $0.685 |
| 50+ | $0.589 |
| 100+ | $0.495 |
| 250+ | $0.433 |
| 500+ | $0.372 |
| 1000+ | $0.333 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMV30XPARCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark54AH3567
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id4.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)8V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente950mV
Disipación de Potencia610mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
950mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.9A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
8V
Disipación de Potencia
610mW
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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