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ZXMHC3F381N8TC
MOSFET Dual, Puente-H, Canal complementario N y P, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMHC3F381N8TCCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6601
Re-reeling (Rollos a medida)65T9553RL
Cinta adhesiva65T9553
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.790 | $8.95 |
| Total Precio | $8.95 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.790 |
| 50+ | $1.210 |
| 100+ | $0.869 |
| 250+ | $0.797 |
| 500+ | $0.725 |
| 1000+ | $0.679 |
| 2500+ | $0.645 |
| 5000+ | $0.632 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.525 |
| 5000+ | $0.500 |
| 10000+ | $0.480 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMHC3F381N8TCCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6601
Re-reeling (Rollos a medida)65T9553RL
Cinta adhesiva65T9553
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id3.98A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.98A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.98A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.033ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.033ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N870mW
Disipación de Potencia de Canal P870mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El ZXMHC3F381N8TC es un MOSFET H-Bridge de modo de mejora complementario de canal N/P que ofrece una baja resistencia a la conexión que se puede lograr con una unidad de puerta baja. Es ideal para aplicaciones de inversores de CD a CA.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.98A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.033ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
870mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
3.98A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.98A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.033ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
870mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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