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ZXMHC3F381N8TC
MOSFET, COMP, H-BRIDE, 30V, SO8
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMHC3F381N8TCCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6601
Re-reeling (Rollos a medida)65T9553RL
Cinta adhesiva65T9553
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 5 | $0.525 | $0.00 |
| Total Precio | $2.62 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.790 |
| 50+ | $1.210 |
| 100+ | $0.869 |
| 250+ | $0.797 |
| 500+ | $0.725 |
| 1000+ | $0.679 |
| 2500+ | $0.645 |
| 5000+ | $0.632 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.525 |
| 5000+ | $0.500 |
| 10000+ | $0.480 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMHC3F381N8TCCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6601
Re-reeling (Rollos a medida)65T9553RL
Cinta adhesiva65T9553
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.98
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.98
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.033
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.033
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N870
Disipación de Potencia de Canal P870
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.98
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.033
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
870
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.98
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.033
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
870
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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