Imprimir página
DMN10H120SE-13
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 3.6 A, 0.077 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 37 semanas
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN10H120SE-13
No. Parte Newark39AH6593
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id3.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.077
Resistencia de Activación Rds(on)0.077ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd1.3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6
Disipación de Potencia1.3
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.077
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.6
Resistencia de Activación Rds(on)
0.077ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.3W
Disipación de Potencia
1.3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto