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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMC2038LVT-7
No. Parte Newark07AH3728
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.474 |
| 10+ | $0.307 |
| 25+ | $0.273 |
| 50+ | $0.240 |
| 100+ | $0.206 |
| 250+ | $0.184 |
| 500+ | $0.162 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMC2038LVT-7
No. Parte Newark07AH3728
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.7
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.7
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.027
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.027
Diseño de TransistorTSOT-26
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N800
Disipación de Potencia de Canal P800
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
DMC2038LVT-7 is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintains superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include motor control, power management functions, DC-DC converters, and backlighting.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- 20V drain source voltage (P channel/N channel)
- 3.7A continuous drain current (P channel/N channel)
- 0.027ohm drain source on state resistance (P channel/N channel)
- 800mW power dissipation (P channel/N channel)
- TSOT26 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.7
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.027
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
800
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.7
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.027
Diseño de Transistor
TSOT-26
Disipación de Potencia de Canal N
800
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza DMC2038LVT-7
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto