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ZXMC3A17DN8TA
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.05 ohm
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMC3A17DN8TACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)62M1299
Cinta adhesiva62M1299
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 42 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.700 | $1.70 |
| Total Precio | $1.70 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.700 |
| 10+ | $1.080 |
| 25+ | $0.957 |
| 50+ | $0.836 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMC3A17DN8TACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)62M1299
Cinta adhesiva62M1299
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id5.4A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4.4
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4.4
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.05
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.07
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.1
Disipación de Potencia de Canal P2.1
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El ZXMC3A17DN8TA es un MOSFET de modo de mejora complementario de canal N/P que utiliza una estructura única que combina los beneficios de una baja resistencia a la conexión con una velocidad de conmutación rápida. Es ideal para aplicaciones de alta eficiencia, bajo voltaje y retroiluminación de LCD.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Alta velocidad de conmutación
- Bajo umbral
- Accionamiento de puerta baja
- Perfil bajo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4.4
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.07
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2.1
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
5.4A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4.4
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.05
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto