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MOSFETs Dobles :
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Disipación de Potencia de Canal N
=2.1
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Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
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Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
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Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
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Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
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Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
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| Comparar | No. De parte del fabricante | Código de Orden | Fabricante / Descripción | Disponibilidad | Precio para | Precio | Quantity | Tipo de Canal | Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N | Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | Intensidad Drenador Continua Id | Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P | Corriente de Drenaje Continua Id Canal N | Corriente de Drenaje Continua Id Canal P | Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente | Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente | Diseño de Transistor | No. de Pines | Disipación de Potencia de Canal N | Disipación de Potencia de Canal P | Temperatura de Trabajo Máx. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES INC. | Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva | 1+$1.510 10+$0.992 25+$0.891 50+$0.791 100+$0.690 | N Channel | 60 | 60V | 3.2A | - | 3.2 | - | 0.18 | - | SOIC | 8Pines | 2.1 | - | 150 | |||||
Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva | 1+$1.700 10+$1.080 25+$0.957 50+$0.836 | Complementary N and P Channel | 30 | 30V | 5.4A | 30 | 4.4 | 4.4 | 0.05 | 0.07 | SOIC | 8Pines | 2.1 | 2.1 | 150 | ||||||
