700V FETs de Nitruro de Galio (GaN) | Newark Electrónica

Encuentre una amplia gama de 700V FETs de Nitruro de Galio (GaN) en Newark Electrónica. Disponemos de una amplia gama de FETs de Nitruro de Galio (GaN), como 650, 650V, 700 & 100 FETs de Nitruro de Galio (GaN) de los principales fabricantes del mundo, incluidos: Infineon & Stmicroelectronics.

Filtros aplicados

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds

:

700V

Los precios mostrados incluyen impuestos y aranceles aplicables

1 Filtros seleccionados

Comparar					Precio para		Quantity

	IGD70R140D2SAUMA1	48AM3652 RoHS Fecha y lote	INFINEON GAN TRANSISTOR 700V 10A TO-252 ROHS COMPLIANT: YES		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+ $2.750 10+ $2.470 25+ $2.280 50+ $2.080 100+ $1.870 Más precios…	Mín.: 1 / Múlt.: 1	700V	10A	0.17ohm	1.9nC	TO-252 (DPAK)	Surface Mount	3Pines	CoolGaN G5 Series
	IGD70R200D2SAUMA1	48AM3653 RoHS Fecha y lote	INFINEON GAN TRANSISTOR 700V 7.3A TO-252 ROHS COMPLIANT: YES		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+ $2.160 10+ $1.940 25+ $1.780 50+ $1.630 100+ $1.460 Más precios…	Mín.: 1 / Múlt.: 1	700V	7.3A	0.24ohm	1.3nC	TO-252 (DPAK)	Surface Mount	3Pines	CoolGaN G5 Series
	SGT070R70HTO	51AM4514 RoHS Fecha y lote	STMICROELECTRONICS GAN TRANSISTOR 700V 26A TO-LL ROHS COMPLIANT: YES		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+ $9.980 10+ $9.160 25+ $8.800 50+ $8.120 100+ $7.610 Más precios…	Mín.: 1 / Múlt.: 1	700V	26A	0.07ohm	8.5nC	TO-LL	Surface Mount	11Pines	-
	IGD70R270D2SAUMA1	48AM3654 RoHS Fecha y lote	INFINEON GAN TRANSISTOR 700V 5.8A TO-252 ROHS COMPLIANT: YES		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+ $1.980 10+ $1.740 25+ $1.600 50+ $1.480 100+ $1.290 Más precios…	Mín.: 1 / Múlt.: 1	700V	5.8A	0.33ohm	1nC	TO-252 (DPAK)	Surface Mount	3Pines	CoolGaN G5 Series
	SGT080R70ILB	51AM4515 RoHS Fecha y lote	STMICROELECTRONICS GAN TRANSISTOR 700V 29A POWERFLATHV ROHS COMPLIANT: YES		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+ $7.260 10+ $6.550 25+ $6.120 50+ $5.650 100+ $5.080 Más precios…	Mín.: 1 / Múlt.: 1	700V	29A	0.08ohm	6.2nC	PowerFLAT HV	Surface Mount	8Pines	-
	IGD70R500D2SAUMA1	48AM3655 RoHS Fecha y lote	INFINEON GAN TRANSISTOR 700V 3.4A TO-252 ROHS COMPLIANT: YES		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+ $1.610 10+ $1.420 25+ $1.300 50+ $1.200 100+ $1.050 Más precios…	Mín.: 1 / Múlt.: 1	700V	3.4A	0.6ohm	0.53nC	TO-252 (DPAK)	Surface Mount	3Pines	CoolGaN G5 Series
	SGT105R70ILB	51AM4516 RoHS Fecha y lote	STMICROELECTRONICS GAN TRANSISTOR 700V 21.7A POWERFLATHV ROHS COMPLIANT: YES		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+ $6.010 10+ $5.430 25+ $5.060 50+ $4.680 100+ $4.210 Más precios…	Mín.: 1 / Múlt.: 1	700V	21.7A	0.105ohm	4.8nC	PowerFLAT HV	Surface Mount	8Pines	-

Artículos por página:

1-7 de 7 artículos

de 1 páginas

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS