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SGT105R70ILB
GAN TRANSISTOR, 700V, 21.7A, POWERFLATHV ROHS COMPLIANT: YES
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 21 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.010 |
| 10+ | $5.430 |
| 25+ | $5.060 |
| 50+ | $4.680 |
| 100+ | $4.210 |
| 250+ | $3.550 |
| 500+ | $3.420 |
| 1000+ | $3.280 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$6.01
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSGT105R70ILB
No. Parte Newark51AM4516
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds700V
Intensidad Drenador Continua Id21.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.105ohm
Carga de Compuerta Típica4.8nC
Diseño de TransistorPowerFLAT HV
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines8Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
700V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.105ohm
Diseño de Transistor
PowerFLAT HV
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
21.7A
Carga de Compuerta Típica
4.8nC
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Trazabilidad del producto