DS1250YP-70IND+

NVSRAM, 4MBIT, PWRCP-34, -40 TO 85DEG C

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ANALOG DEVICES DS1250YP-70IND+
FabricanteANALOG DEVICES
No. Parte FabricanteDS1250YP-70IND+
No. Parte Newark89AK3154
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Información del producto

FabricanteANALOG DEVICES
No. Parte FabricanteDS1250YP-70IND+
No. Parte Newark89AK3154
Hoja de datos técnicos
Memoria, TipoNVSRAM
Densidad de Memoria4
Configuración de Memoria512K x 8bit
Tamaño de la Memoria4Mbit
Tiempo de Acceso de Lectura70
Configuración Memoria NVRAM512K x 8bit
Tipo de Interfaz ICParallel
Tiempo de Acceso de Escritura70
Tensión de Alimentación Mín.4.5V
Tiempo de Acceso70ns
Memoria, TipoPWRCP
Tensión de Alimentación Máx.5.5V
Estuche / Paquete CIPWRCP
No. de Pines34Pines
InterfacesParalelo
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)

Especificaciones técnicas

Memoria, Tipo

NVSRAM

Configuración de Memoria

512K x 8bit

Tiempo de Acceso de Lectura

70

Tipo de Interfaz IC

Parallel

Tensión de Alimentación Mín.

4.5V

Memoria, Tipo

PWRCP

Estuche / Paquete CI

PWRCP

Interfaces

Paralelo

Temperatura de Trabajo Mín.

-40°C

Rango de Producto

-

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

No SVHC (25-Jun-2025)

Densidad de Memoria

4

Tamaño de la Memoria

4Mbit

Configuración Memoria NVRAM

512K x 8bit

Tiempo de Acceso de Escritura

70

Tiempo de Acceso

70ns

Tensión de Alimentación Máx.

5.5V

No. de Pines

34Pines

IC, Montaje

Surface Mount

Temperatura de Trabajo Máx.

85°C

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

MSL 1 - Unlimited

Documentos técnicos (1)

Legislación y medioambiente

US ECCN:3A991B2A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:

RoHS

Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):

RoHS

Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto