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WG30N65HAW1Q
IGBT, 60 A, 1.55 V, 312 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
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FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
Nº da peça do fabricanteWG30N65HAW1Q
Código Newark27AM4923
Seu número de peça
Ficha técnica
188 Em Estoque
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.940 |
| 10+ | $ 1.820 |
| 100+ | $ 1.710 |
| 720+ | $ 1.650 |
| 1200+ | $ 1.590 |
| 2640+ | $ 1.530 |
| 5040+ | $ 1.510 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.94
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Informação do produto
FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
Nº da peça do fabricanteWG30N65HAW1Q
Código Newark27AM4923
Ficha técnica
Continuous Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage1.55V
Power Dissipation312W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Continuous Collector Current
60A
Power Dissipation
312W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.55V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:A ser informado
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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