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WG25R135W1Q
IGBT, 50 A, 1.85 V, 300 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pins
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FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
Nº da peça do fabricanteWG25R135W1Q
Código Newark27AM4922
Seu número de peça
Ficha técnica
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.540 |
| 10+ | $ 2.520 |
| 25+ | $ 2.350 |
| 50+ | $ 2.190 |
| 100+ | $ 2.020 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 3.54
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Informação do produto
FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
Nº da peça do fabricanteWG25R135W1Q
Código Newark27AM4922
Ficha técnica
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation300W
Collector Emitter Voltage Max1.35kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Continuous Collector Current
50A
Power Dissipation
300W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Collector Emitter Voltage Max
1.35kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:A ser informado
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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