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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.892 |
| 10+ | $ 0.662 |
| 25+ | $ 0.619 |
| 50+ | $ 0.576 |
| 100+ | $ 0.533 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteTSMF1020
Código Newark58K2534
Ficha técnica
Peak Wavelength890nm
Angle of Half Intensity17°
Diode Case StyleSMD
Radiant Intensity (Ie)30mW/Sr
Rise Time30ns
Fall Time tf30ns
Forward Current If(AV)20mA
Forward Voltage VF Max1.3V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)
Descrição geral do produto
The TSMF1020 is a 890nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology. It is moulded in clear, untinted plastic packages (with lens) for surface mounting (SMD). It is suitable for use in IrDA compatible data transmission, miniature light barrier, photointerrupters, optical switch, control and drive circuits, shaft encoders.
- High speed
- High radiant power
- ϕ = ±17° Angle of half intensity
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Versatile terminal configurations
Especificações Técnicas
Peak Wavelength
890nm
Diode Case Style
SMD
Rise Time
30ns
Forward Current If(AV)
20mA
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (08-Jul-2021)
Angle of Half Intensity
17°
Radiant Intensity (Ie)
30mW/Sr
Fall Time tf
30ns
Forward Voltage VF Max
1.3V
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documentação técnica (2)
Alternativas para TSMF1020
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (08-Jul-2021)
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Rastreabilidade de produtos