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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS05DN-T1-GE3
Código Newark86AK6251
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 52 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 6000+ | $ 0.564 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 6000
Vários: 6000
$ 3,384.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSISS05DN-T1-GE3
Código Newark86AK6251
Gama de produtosTrenchFET Series
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id108A
Drain Source On State Resistance3500µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
108A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Alternativas para SISS05DN-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
