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SI4100DY-T1-E3
N-CH MOSFET SO-8 100V 63MOHM 10V ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4100DY-T1-E3
Código Newark
Rolo completo75M5457
Segmento de fita11AN9277
Gama de produtosTrenchFET Series
Seu número de peça
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.930 | $ 1.93 |
| Total Preço | $ 1.93 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.930 |
| 10+ | $ 1.840 |
| 25+ | $ 1.680 |
| 50+ | $ 1.540 |
| 100+ | $ 1.420 |
| 250+ | $ 1.220 |
| 500+ | $ 1.080 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 0.779 |
| 4000+ | $ 0.718 |
| 6000+ | $ 0.699 |
| 10000+ | $ 0.688 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4100DY-T1-E3
Código Newark
Rolo completo75M5457
Segmento de fita11AN9277
Gama de produtosTrenchFET Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id6.8A
Drain Source On State Resistance0.063ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.8A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.063ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Alternativas para SI4100DY-T1-E3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Rastreabilidade de produtos