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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2319DDS-T1-BE3
Código Newark24AM0598
Gama de produtosTrenchFET Gen III Series
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.450 |
| 10+ | $ 0.399 |
| 25+ | $ 0.354 |
| 50+ | $ 0.299 |
| 100+ | $ 0.255 |
| 250+ | $ 0.219 |
| 500+ | $ 0.186 |
| 1000+ | $ 0.157 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 5
Vários: 5
$ 2.25
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2319DDS-T1-BE3
Código Newark24AM0598
Gama de produtosTrenchFET Gen III Series
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id3.6A
Drain Source On State Resistance0.075ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.6A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Gen III Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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