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TPM1R908QM,LQ(TW
MOSFET, N-CH, 80V, 238A, SOP ADVANCE E ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPM1R908QM,LQ(TW
Código Newark12AN0552
Gama de produtosU-MOSX-H Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 21 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 10+ | $ 2.850 |
| 25+ | $ 2.580 |
| 50+ | $ 2.300 |
| 100+ | $ 2.010 |
| 250+ | $ 1.720 |
| 500+ | $ 1.570 |
| 1000+ | $ 1.480 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 10
Vários: 10
$ 28.50
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPM1R908QM,LQ(TW
Código Newark12AN0552
Gama de produtosU-MOSX-H Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id238A
Drain Source On State Resistance0.0019ohm
Transistor Case StyleSOP Advance E
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation250W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSX-H Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
238A
Transistor Case Style
SOP Advance E
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSX-H Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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