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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3K361R,LXGF(T
Código Newark01AM0625
Gama de produtosU-MOSVIII-H Series
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.613 |
| 10+ | $ 0.511 |
| 25+ | $ 0.459 |
| 50+ | $ 0.415 |
| 100+ | $ 0.364 |
| 250+ | $ 0.327 |
| 500+ | $ 0.271 |
| 1000+ | $ 0.263 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 5
Vários: 5
$ 3.06
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3K361R,LXGF(T
Código Newark01AM0625
Gama de produtosU-MOSVIII-H Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id3.5A
Drain Source On State Resistance0.069ohm
Transistor Case StyleSOT-23F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation2.4W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSVIII-H Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.5A
Transistor Case Style
SOT-23F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.4W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.069ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
U-MOSVIII-H Series
SVHC
To Be Advised
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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