Imprimir página
STP5NK100Z
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 3.5 A, 3.7 ohm, TO-220, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTP5NK100Z
Código Newark38K7927
Seu número de peça
Ficha técnica
5,949 Em Estoque
Precisa de mais?
4598 Entrega em 1-3 Dias Úteis(US estoque)
1351 Entrega em 2-4 Dias Úteis(UK estoque)
Encomendar antes das 21:00, envio normal
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.280 |
| 10+ | $ 2.410 |
| 100+ | $ 2.140 |
| 500+ | $ 1.880 |
| 1000+ | $ 1.630 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 3.28
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTP5NK100Z
Código Newark38K7927
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id3.5A
Drain Source On State Resistance3.7ohm
On Resistance Rds(on)3.7ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd125W
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The STP5NK100Z is a SuperMESH3™ N-channel Power MOSFET features minimized gate charge. This new SuperMESH™ Power MOSFET is the result of further design improvements on ST's well-established strip based PowerMESH™ layout. In addition to significantly lower ON-resistance, the device offers superior dV/dt capability to ensure optimal performance even in the most demanding applications. The SuperMESH™ device further complements an already broad range of innovative high voltage MOSFETs, which includes the revolutionary MDmesh™ products.
- Extremely high dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Very good manufacturing repeatability
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.5A
On Resistance Rds(on)
3.7ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
125W
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
3.7ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (3)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
WARNINGProposition 65