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STGWA40H65DFB2
IGBT, 72 A, 1.55 V, 230 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pins
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTGWA40H65DFB2
Código Newark69AH2737
Gama de produtosHB2
Seu número de peça
Ficha técnica
Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTGWA40H65DFB2
Código Newark69AH2737
Gama de produtosHB2
Ficha técnica
Continuous Collector Current72A
DC Collector Current72A
Collector Emitter Saturation Voltage1.55V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.55V
Power Dissipation Pd230W
Power Dissipation230W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247LL
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeHB2
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Especificações Técnicas
Continuous Collector Current
72A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.55V
Power Dissipation Pd
230W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
Transistor Case Style
TO-247LL
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
HB2
DC Collector Current
72A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.55V
Power Dissipation
230W
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (23-Jan-2024)
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