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STGWA30H65DFB2
IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pins
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTGWA30H65DFB2
Código Newark82AH9144
Gama de produtosHB2
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Ficha técnica
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTGWA30H65DFB2
Código Newark82AH9144
Gama de produtosHB2
Ficha técnica
DC Collector Current50A
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage1.65V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.65V
Power Dissipation Pd167W
Power Dissipation167W
Collector Emitter Voltage Max650V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Transistor Case StyleTO-247LL
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeHB2
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
DC Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.65V
Power Dissipation Pd
167W
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Case Style
TO-247LL
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
HB2
Continuous Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.65V
Power Dissipation
167W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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