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SKM200GB12T4
IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module RoHS Compliant: Yes
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Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSKM200GB12T4
Código Newark55X3192
Ficha técnica
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current313A
DC Collector Current313A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature, Tj Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
313A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Continuous Collector Current
313A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
175°C
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Product Range
-
Documentação técnica (3)
Alternativas para SKM200GB12T4
2 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
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Rastreabilidade de produtos