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SKM150GAL12T4
IGBT Array & Module Transistor, NPN, 232 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module RoHS Compliant: Yes
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| 5+ | $ 126.400 |
| 16+ | $ 118.400 |
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Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSKM150GAL12T4
Código Newark55X3185
Ficha técnica
IGBT ConfigurationSingle
DC Collector Current232A
Continuous Collector Current232A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature, Tj Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Single
Continuous Collector Current
232A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
DC Collector Current
232A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
125°C
Junction Temperature, Tj Max
125°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Product Range
-
Documentação técnica (3)
Alternativas para SKM150GAL12T4
2 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos