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BM3G115MUV-LBE2
GAN HEMT POWER STAGE IC, VQFN046V8080 ROHS COMPLIANT: YES
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 9.420 |
| 10+ | $ 7.330 |
| 25+ | $ 6.810 |
| 50+ | $ 6.520 |
| 100+ | $ 6.230 |
| 250+ | $ 5.960 |
| 500+ | $ 5.800 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 9.42
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteBM3G115MUV-LBE2
Código Newark42AM5203
IC FunctionGaN HEMT Power Stage
Supply Voltage Min6.83V
Supply Voltage Max30V
IC Package TypeVQFN046V8080
No. of Pins46Pins
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
IC Function
GaN HEMT Power Stage
Supply Voltage Max
30V
No. of Pins
46Pins
Operating Temperature Max
105°C
Automotive Qualification Standard
-
Supply Voltage Min
6.83V
IC Package Type
VQFN046V8080
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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