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NXV65HR82DS2
Bipolar (BJT) Single Transistor, N Channel, 26 A, 650 V, 0.082 ohm, 10 V, 5 V
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Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 17 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 42.990 |
| 5+ | $ 40.750 |
| 10+ | $ 38.520 |
| 25+ | $ 36.280 |
| 50+ | $ 36.100 |
| 144+ | $ 35.930 |
| 288+ | $ 35.750 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 42.99
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXV65HR82DS2
Código Newark32AJ8466
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.073ohm
On Resistance Rds(on)0.073ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd126W
Power Dissipation126W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
26A
Drain Source On State Resistance
0.073ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
126W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.073ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
126W
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
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Rastreabilidade de produtos