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NXH300B100H4Q2F2SG
IGBT Module, PIM, 73 A, 1.8 V, 194 W, 175 °C, Module
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH300B100H4Q2F2SG
Código Newark29AK2760
Gama de produtosEliteSiC Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 143.220 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH300B100H4Q2F2SG
Código Newark29AK2760
Gama de produtosEliteSiC Series
IGBT ConfigurationPIM
Continuous Collector Current73A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation194W
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max1kV
IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
PIM
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Solder
IGBT Technology
IGBT [Trench/Field Stop]
Product Range
EliteSiC Series
Continuous Collector Current
73A
Power Dissipation
194W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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