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Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 30 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.840 |
| 10+ | $ 1.210 |
| 25+ | $ 1.090 |
| 50+ | $ 0.967 |
| 100+ | $ 0.847 |
| 250+ | $ 0.770 |
| 500+ | $ 0.693 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.84
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTMFS6D2N08XT1G
Código Newark06AN0862
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id73A
Drain Source On State Resistance0.0062ohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation68W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
73A
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
68W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0062ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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