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HUF75639G3
MOSFET Transistor, N Channel, 56 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 4 V RoHS Compliant: Yes
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.850 |
| 10+ | $ 2.770 |
| 25+ | $ 2.690 |
| 50+ | $ 2.620 |
| 100+ | $ 2.540 |
| 250+ | $ 2.460 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteHUF75639G3
Código Newark47T5084
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id56A
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd200W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
56A
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
200W
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (27-Jun-2024)
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Rastreabilidade de produtos